ESTUDO DAS PROPRIEDADES ELETRÔNICAS DE ESTRUTURAS DE CARBONO 0D

Com os avanços tecnológicos dos últimos anos, a busca por novos materiais teve grande crescimento. O silício, principal elemento do transistor, está chegando a sua miniaturização máxima. Dessa forma, vem aumentando a busca por um elemento que o substitua. O Carbono aparece como o principal substituto do Silício, em teoria. O estudo das hibridizações do Carbono possibilita o desenvolvimento de nanomateriais com importantes propriedades eletrônicas. Neste trabalho foram realizadas simulações com o método da Teoria do Funcional da Densidade (DFT). Para tanto, usou-se as aproximações LDA e GGA. Além disso, os cálculos tiveram por base as equações de Kohn-Shan para obtenção da energia fundamental. Todos os cálculos foram realizados no programa SIESTA, usando-se o método ab initio (primeiros princípios), para encontrar os níveis de energias de estruturas contendo carbono e hidrogênio.